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DMJ70H1D3SI3相關型號
Diodes美臺熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • DMJ70H1D3SI3

  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  • PDF下載：
  • 庫存數(shù)量：2000+

優(yōu)勢價格，DMJ70H1D3SI3的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。

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詳細參數(shù)

  • 包裝管件
  • 系列-
  • 零件狀態(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技術MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）700V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）4.6A（Tc）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）1.3 歐姆 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）13.9nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）351pF @ 50V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）41W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型通孔
  • 供應商器件封裝TO-251
  • 封裝/外殼TO-251-3 短截引線，IPak

其它信息

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