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圖片僅供參考，請(qǐng)參考產(chǎn)品描述

  • ZXMN3A04DN8TC

  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 批號(hào)：19+
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
  • 系列-
  • 零件狀態(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型2 N-通道（雙）
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）6.5A
  • 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）20 毫歐 @ 12.6A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA（最?。?/span>
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）36.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1890pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.81W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝8-SO

其它信息

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