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當(dāng)前位置:  Diodes(美臺)  >>  Diodes相關(guān)型號  >>  DMN3016LDV-13詳細(xì)信息

DMN3016LDV-13相關(guān)型號

  • DF01M

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DFM

  • DF005M

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFM

  • DF06M

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFM

  • KBP2005G

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP

  • KBP201G

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP

  • KBP204G

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP

  • KBP206G

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP

  • KBP06G

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP

Diodes美臺熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • DMN3016LDV-13

  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

優(yōu)勢價格，DMN3016LDV-13的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
  • 系列-
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型2 N-通道（雙）
  • FET 功能標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓（Vdss）標(biāo)準(zhǔn)
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）21A（Tc）
  • 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）12 毫歐 @ 7A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）9.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1184pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1184pF @ 15V
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerDI3333-8

其它信息

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