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DMN10H099SFG-13相關(guān)型號
Diodes美臺熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • DMN10H099SFG-13

  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
  • 系列-
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）4.2A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）80 毫歐 @ 3.3A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）25.2nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1172pF @ 50V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）980mW（Ta）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerDI3333-8
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN

其它信息

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