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DMN33D8LTQ-13相關(guān)型號
Diodes美臺熱銷型號

圖片僅供參考,請參考產(chǎn)品描述

  • DMN33D8LTQ-13

  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 批號:19+
  • 描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523
  • PDF下載:pdf下載
  • 庫存數(shù)量:2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
  • 系列汽車級,AEC-Q101
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))115mA(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4V
  • 不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)5 歐姆 @ 10mA,4V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值).55nC @ 10V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)48pF @ 5V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)240mW(Ta)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-523
  • 封裝/外殼SOT-523

其它信息

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